Optimization of selective-area regrown n-GaN via MOCVD for high-frequency HEMT

发表于 5 天前

期刊：Applied Physics Letters

文献作者：Lian Zhang; Zhe Cheng; Yawei He; Jianxing Xu; Lifang Jia; Xinyuan Wang; Shiyong Zhang; Wei Tan; Yun Zhang

出版日期：2021-12-27

DOI号：10.1063/5.0077937

下载链接：https://pubs.aip.org/aip/apl/art ... 262104_1_online.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1063/5.0077937

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