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[IOP] Trench gate IGBT structure with floating P region

Lu3272507437 发表于 昨天 16:25 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：Journal of Semiconductors

文献作者：Qian Mengliang; Li Zehong; Zhang Bo; Li Zhaoji

出版日期：2010-2-

DOI号：10.1088/1674-4926/31/2/024003

文献链接：https://doi.org/10.1088/1674-4926/31/2/024003

当前文献来源于 IOP Publishing。


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