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[IEEE] The Latest Fabrication and Experimental Results of 1.2 kV Split-Gate 4H-SiC MOSFET with P+ Buffer

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lixiang 发表于 2026-7-9 09:06:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)

文献作者：Yuzhi Chen; Chi Li; Zedong Zheng

出版日期：2025-6-1

DOI号：10.23919/ispsd62843.2025.11117508

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11117508

文献链接：https://doi.org/10.23919/ispsd62843.2025.11117508

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1764992075 发表于 2026-7-9 09:06:09 | 显示全部楼层

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