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[AIP] Metal-insulator transition and charge transport mechanisms in SnSe2 field-effect transistor

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程振龙 发表于 2026-7-23 22:31:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：Journal of Applied Physics

文献作者：Aarti Lakhara; Lars Thole; Rolf J. Haug; P. A. Bhobe

出版日期：2026-1-7

DOI号：10.1063/5.0291814

下载链接：https://pubs.aip.org/aip/jap/art ... 306_1_5.0291814.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1063/5.0291814

当前文献来源于 AIP Publishing。


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