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[AIP] Defect induced Raman shifts and bandgap engineering in layered SnSe2+δ bulks

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程振龙 发表于 2026-7-23 22:32:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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期刊：Applied Physics Letters

文献作者：Hong Lu; Haotong Zang; Zhigang Lai; Wei An; Vera Ni; Valeria Rodionova; Kurban Magomedov; Xiao Ren

出版日期：2024-6-3

DOI号：10.1063/5.0205209

下载链接：https://pubs.aip.org/aip/apl/art ... 105_1_5.0205209.pdf

文献链接：https://doi.org/10.1063/5.0205209

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