[Elsevier/Sciencedirect] Impact of near interface defects on NO annealed SiC MOSFET mobility

Yizhang001 发表于 1 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:Microelectronics Reliability

文献作者:Yu-Xin Wen; Bing-Yue Tsui; Kin P. Cheung

出版日期:2025-10-

DOI号:10.1016/j.microrel.2025.115841

下载链接:https://www.sciencedirect.com/sc ... 026271425002549/pdf

文献链接:https://doi.org/10.1016/j.microrel.2025.115841

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jetaime0111 发表于 1 小时前 | 显示全部楼层

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