[IEEE] Role of trapping/detrapping in HTRB Stress and pulsed DC conditions in AlGaN/GaN HEMTs analyzed via TCAD simulations

tianbaohua 发表于 1 小时前 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:2023 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)

文献作者:F. Ercolano; L. Balestra; S. Krause; S. Leone; I. Streicher; P. Waltereit; M. Dammann; S. Reggiani

出版日期:2023-10-8

DOI号:10.1109/iirw59383.2023.10477691

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=10477691

文献链接:https://doi.org/10.1109/iirw59383.2023.10477691

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