[IEEE] New Insights into the Transient Behavior of IGZO 2T0C DRAM: Capacitive Coupling, Carrier Injection and De-trapping

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ggdodo 发表于 2026-8-17 17:07:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

文献作者:Wenjie Zhao; Yecheng Yang; Qianlan Hu; Yuzhe Zhu; Honggang Liu; Shiwei Yan; Ranhui Liu; Yanqing Wu

出版日期:2026-3-1

DOI号:10.1109/edtm65772.2026.11497953

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11497953

文献链接:https://doi.org/10.1109/edtm65772.2026.11497953

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学术小白P 发表于 2026-8-17 17:07:54 | 显示全部楼层

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