[IEEE] High Density Stacked Dual Channel IGZO FET 3D DRAM with Vertical BL: Process Integration, Simulation and Scalability

 关闭 求助已关闭
ggdodo 发表于 2026-8-17 17:10:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏10积分

期刊:2026 10th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)

文献作者:Tun Wang; Jing Liang; Xinhe Wang; Shunqiang Xu; Honglei Feng; Jingjing Duan; Zhao Liu; Yong Yu; Z. Bai; Mingxu Liu; Xiangsheng Wang; Guilei Wang; Chao Zhao

出版日期:2026-3-1

DOI号:10.1109/edtm65772.2026.11496788

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11496788

文献链接:https://doi.org/10.1109/edtm65772.2026.11496788

当前文献来源于 IEEE。


备注信息:

已采纳

附件内容

查看完整内容

全部回复1 显示全部楼层
学术小白P 发表于 2026-8-17 17:10:37 | 显示全部楼层

当前求助已完成,请重新发起求助。

已完结状态的附件将会在24小时内删除。
注册会员
  • 发布

  • 回复

  • 积分

    200

返回列表