[IEEE] Enhancing Resistive Switching Characteristics of MoS2-Based Memristor Through O2 Plasma Irradiation-Induced Defects

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harddog 发表于 2026-8-17 22:26:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:IEEE Journal of the Electron Devices Society

文献作者:Kanupriya Varshney; Prajjwal Shukla; Bhanu Prakash; Devarshi Mrinal Das; Brajesh Rawat

出版日期:2025--

DOI号:10.1109/jeds.2024.3480356

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=10716546

文献链接:https://doi.org/10.1109/jeds.2024.3480356

当前文献来源于 Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)。


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harddog 发表于 2026-8-17 22:29:40 | 显示全部楼层

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