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[其他期刊] Atomic Layer Etching of SiO2 for Nanoscale Semiconductor Devices: A Review

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FreezeSIE 发表于 2026-9-22 10:41:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：Applied Science and Convergence Technology

文献作者：Daeun Hong; Yongjae Kim; Heeyeop Chae

出版日期：2024-1-30

DOI号：10.5757/asct.2024.33.1.1

下载链接：https://pdf.medrang.co.kr/ASCT/2024/033/ASCT033-01-1.pdf

文献链接：https://doi.org/10.5757/asct.2024.33.1.1

当前文献来源于 The Korean Vacuum Society。


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