[AIP] Selective area regrowth of silane-doped GaN achieving record carrier density for ultra-low resistive Ohmic contacts for AlGaN/GaN HEMT

hhhhhhhhhjh 发表于 昨天 23:36 | 显示全部楼层 |阅读模式
此帖将于 2026-10-23 23:36 自动关闭
悬赏10积分

期刊:Applied Physics Letters

文献作者:Swarnav Mukhopadhyay; Surjava Sanyal; Ruixin Bai; Brahmani Challa; Chirag Gupta; Shubhra S. Pasayat

出版日期:2025-9-30

DOI号:10.1063/5.0289411

下载链接:https://pubs.aip.org/aip/apl/art ... 304_1_5.0289411.pdf

文献链接:https://doi.org/10.1063/5.0289411

当前文献来源于 AIP Publishing。


备注信息:
全部回复0 显示全部楼层

发表回复

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

注册会员
  • 发布

  • 回复

  • 积分

    50

返回列表