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[IEEE] Stress Incorporation Using Single Diffusion Break for Next Generation Gate-All-Around Logic Technology

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vein 发表于 2026-8-16 23:27:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊：2026 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA)

文献作者：Ashish Pal; Pratik B. Vyas; Subi Kengeri; El Mehdi Bazizi

出版日期：2026-4-13

DOI号：10.1109/vlsitsa69131.2026.11527634

下载链接：https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11527634

文献链接：https://doi.org/10.1109/vlsitsa69131.2026.11527634

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