[IEEE] Selective etch process for fab-compatible top contacts, replacement oxide, and interlayer removal in 2D FETs

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千图 发表于 2026-9-11 09:24:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
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期刊:2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)

文献作者:Q. Smets; T. Schram; D. van Dorp; Y. Jiang; A. Opdebeeck; D. Cott; F. Sebaai; P. Morin; B. Govoreanu; L. Panarella; A. Kozhakhmetov; C. J. Dorow; A. Oni; K. P. O’Brien; U. Avci; C. J. Lockhart De La Rosa; G. S. Kar

出版日期:2025-12-6

DOI号:10.1109/iedm50572.2025.11353796

下载链接:https://ieeexplore.ieee.org/stampPDF/getPDF.jsp?arnumber=11353796

文献链接:https://doi.org/10.1109/iedm50572.2025.11353796

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黑色卡特 发表于 2026-9-11 09:24:09 | 显示全部楼层

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weishiqu 发表于 2026-9-11 09:41:40 | 显示全部楼层

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